GTO-malakceptanta kondensilo en potencelektronika ekipaĵo

Mallonga Priskribo:

Snubber-cirkvitoj estas esencaj por diodoj uzataj en ŝaltilcirkvitoj. Ili povas savi diodon de trotensiaj pikiloj, kiuj povas ekesti dum la inversa reakira procezo.

Sendu retpoŝton al ni Elŝuti kiel PDF

Produkta Detalo

Produktaj Etikedoj

Teknikaj datumoj

Funkciiga temperaturintervalo	Maks. Funkciiga temperaturo., Supra, maks: + 85℃ Supra kategoria temperaturo: +85℃ Malsupra kategoria temperaturo: -40℃
kapacitanca gamo	0,22～3μF
Taksita tensio	3000V.DC ~ 10000V.DC
Kap.tol	±5% (J); ±10% (K)
Eltena tensio	1.35Un DC/10S
Disipada faktoro	tgδ≤0.001 f=1KHz
Izoladrezisto	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (je 20℃ 100V.DC 60S) C>0.33μF RS*C≥5000S (je 20℃ 100V.DC 60S)
Elteni frapfluon	vidu datenfolion
Vivdaŭro	100000h (Un; Θhotspot≤70°C)
Referenca normo	IEC 61071 ;

Trajto

1. Milara bendo, sigelita per rezino;

2. Kupraj nuksokonduktiloj;

3. Rezisto al alta tensio, malalta tgδ, malalta temperaturpliiĝo;

4. malalta ESL kaj ESR;

5. Alta pulsa kurento.

Apliko

1. GTO-malakcelilo.

2. Vaste uzata en potencaj elektronikaj ekipaĵoj kiam la pinta tensio, pinta kurenta absorba protekto.

Tipa cirkvito

Skiza desegnaĵo

Specifo

Un=3000V.DC
Kapacitanco (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1 (mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.22	35	44	52	25	1100	242	30
0.33	43	44	52	25	1000	330	35
0.47	51	44	52	22	850	399	45
0.68	61	44	52	22	800	544	55
1	74	44	52	20	700	700	65
1.2	80	44	52	20	650	780	75
1.5	52	70	84	30	600	900	45
2.0	60	70	84	30	500	1000	55
3.0	73	70	84	30	400	1200	65
4.0	83	70	84	30	350	1400	70
Un=6000V.DC
Kapacitanco (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1 (mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.22	43	60	72	25	1500	330	35
0.33	52	60	72	25	1200	396	45
0.47	62	60	72	25	1000	470	50
0.68	74	60	72	22	900	612	60
1	90	60	72	22	800	900	75

Un=7000V.DC
Kapacitanco (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1 (mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.22	45	57	72	25	1100	242	30
0.68	36	80	92	28	1000	680	25
1.0	43	80	92	28	850	850	30
1.5	52	80	92	25	800	1200	35
1.8	57	80	92	25	700	1260	40
2.0	60	80	92	23	650	1300	45
3.0	73	80	92	22	500	1500	50

Un=8000V.DC
Kapacitanco (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1 (mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.33	35	90	102	30	1100	363	25
0.47	41	90	102	28	1000	470	30
0.68	49	90	102	28	850	578	35
1	60	90	102	25	800	800	40
1.5	72	90	102	25	700	1050	45
2.0	83	90	102	25	650	1300	50

Un=10000V.DC
Kapacitanco (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1 (mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.33	45	114	123	35	1500	495	30
0.47	54	114	123	35	1300	611	35
0.68	65	114	123	35	1200	816	40
1	78	114	123	30	1000	1000	55
1.5	95	114	123	30	800	1200	70